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注1：目前GW1N-1器件中仅LQ100X封装支持UV版本，封装兼容性请查阅数据手册。
注2：GW1N-2 CS42封装的IO Bank 总数为7个。

注5：对于 GW1N-2 器件，若其 MODE[2]的值固定为 1，则其加载频率只能是2.5MHz。

注6：对于GW1N-4/GW1N-9 UV版本器件，如果Vcc和Vccx在某封装中共用一个管脚，那么GW1N-4/GW1N-9的Vccx范围（2.5V~3.3V）会将Vcc范围限制为2.5V~3.3V，此时Vcc不支持1.8V。

注：JTAGSEL_N和JTAG管脚是互斥管脚，JTAGSEL_N引脚和JTAG下载的4个引脚（TCK、TDI、TDO、TMS）不可同时复用为 I/O，此表格的数据为JTAG下载的4个引脚复用为I/O时的情况，但当mode[2:0]=001时，JTAGSEL_N管脚与JTAG配置的4个管脚（TCK、TMS、TDI、TDO）可以同时设置为GPIO，此时最大用户I/O数加1。详细信息请参考

注：封装前带“C”的器件内嵌硬核处理器，封装前不带“C”的器件不支持硬核处理器。

注：JTAGSEL_N 和 JTAG 管脚是互斥管脚，如果 JTAGSEL_N 管脚封装出来，最多用户 I/O 数量减 1 个。

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器件	GW1N- 1	GW1N- 2	GW1N- 4	GW1N- 9	GW1N- 1S	GW1N-1P5
逻辑单元(LUT)	1152	2304	4608	8640	1152	1584
寄存器(FF)	864	2016	3456	6480	864	1584
分布式静态随机存储器 S-SRAM(bits)	0	18432	0	17280	0	12672
块状静态随机存储器 B-SRAM(bits)	72K	72K	180K	468K	72K	72K
块状静态随机存储器数目 B-SRAM(个)	4	4	10	26	4	4
用户闪存- bits	96K	96K	256K	608K	96K	96K
乘法器(18x18 Multiplier)	0	0	16	20	0	0
锁相环(PLLs)	1	1	2	2	1	1
I/O Bank 总数	4	6^注 2	4	4	3	6
最多用户 I/O	120	125	218	276	44	125
核电压（LV 版本）	1.2V	1.2V	1.2V	1.2V	1.2V	1.2V
核电压（UV 版本）	1.8V/2.5V/3.3V ^注1	1.8V/2.5V/3.3V	2.5V/3.3V ^注6	2.5V/3.3V ^注6	-	1.8V/2.5V/3.3V

封装	间距(mm)	尺寸(mm)	GW1N- 1	GW1N- 2	GW1N- 4	GW1N- 9	GW1N- 1S	GW1N-1P5
CS30	0.4	2.3x2.4	24	-	-	-	23	-
QN32	0.5	5x5	26	21(1)	24(3)	-	-	-
QN32X	0.5	5x5	-	21(1)	-	-	-	-
FN32	0.4	4x4	-	-	-	-	25	-
CS42	0.4	2.4x2.9	-	24(7)	-	-	-	-
CS42H	0.4	2.4x2.9	-	36(3)	-	-	-	-
QN48	0.4	6x6	41	40(12)	40(9)	40(12)	-	-
QN48H	0.4	6x6	-	30(8)	-	-	-	-
QN48F	0.4	6x6	-	-	-	39(11)	-	-
QN48X	0.5	7x7	-	-	-	-	-	39(10)
QN48XF	0.5	7x7	-	-	-	-	-	40(11)
CM64	0.5	4.1x4.1	-	-	-	55(16)注 3	-	-
CS72	0.4	3.6x3.3	-	-	57(19)	-	-	-
CS81M	0.4	4.1x4.1	-	-	-	55(15)	-	-
QN88	0.4	10x10	-	57(17)	70(11)	70(19)	-	-
CS100H	0.4	4x4	-	88(27)	-	-	-	-
LQ100	0.5	14x14	79	80(15)	79(13)	79(20)	-	80(16)
LQ100X	0.5	14x14	-	80(15)	-	-	-	80(16)
LQ144	0.5	20x20	116	113(28)	119(22)	120(28)	-	-
LQ144X	0.5	20x20	-	113(28)	-	-	-	-
LQ144F	0.5	20x20	-	115(27)	-	-	-	-
EQ144	0.5	20x20	-	-	-	120(28)	-	-
MG49	0.5	3.8x3.8	-	42(11)	-	-	-	-
MG100	0.5	5x5	-	-	-	87(25)	-	-
MG100T	0.5	5x5	-	-	-	87(17)	-	-
MG121	0.5	6x6	-	100(28)	-	-	-	-
MG121X	0.5	6x6	-	100(28)	-	-	-	-
MG132	0.5	8x8	-	104(29)	-	-	-	-
MG132H	0.5	8x8	-	94(29)	-	-	-	-
MG132X	0.5	8x8	-	104(29)	105(23)	-	-	-
MG160	0.5	8x8	-	-	131(25)	131(38)	-	-
UG169	0.8	11x11	-	-	129(27)	129(38)	-	-
LQ176	0.4	20x20	-	-	-	147(37)	-	-
EQ176	0.4	20x20	-	-	-	147(37)	-	-
MG196	0.5	8x8	-	-	-	113(35)	-	-
PG256	1.0	17x17	-	-	207(32)	207(36)	-	-
PG256M	1.0	17x17	-	-	207(32)	-	-	-
UG256	0.8	14x14	-	-	-	207(36)	-	-
UG332	0.8	17x17	-	-	-	273(43)	-	-

器件	GW1N-2（车规级）	GW1N-4（车规级）
逻辑单元(LUT4)	2304	4608
寄存器	2016	3456
分布式静态随机存储器SSRAM(bits)	18432	0
块状静态随机存储器BSRAM(bits)	72K	180K
块状静态随机存储器数目BSRAM(个)	4	10
用户闪存(bits)	96K	256K
乘法器(18 x 18 Multiplier)	0	16
锁相环(PLLs)	1	2
I/O Bank总数	6	4
最大I/O数	125	218
核电压（LV版本）	1.2V	1.2V

封装	间距(mm)	尺寸(mm)	GW1N-2（车规级）	GW1N-4（车规级）
QN88	0.4	10 x 10	57（17）	70（11）

器件	GW1NZ-1
逻辑单元(LUT4)	1152
寄存器(FF)	864
分布式静态随机存储器 S-SRAM(bits)	4K
块状静态随机存储器 B-SRAM(bits)	72K
锁相环(PLLs)	1
用户闪存-bits	64K
最大I/O数	48
核电压(LV版本)	1.2V
核电压(ZV版本)	0.9V

器件	GW1NZ-1( 车规级)
逻辑单元(LUT4)	1152
寄存器	864
分布式静态随机存储器S-SRAM(bits)	4K
块状静态随机存储器BSRAM(bits)	72K
锁相环(PLLs)	1
用户闪存(bits)	64K
最大I/O数	48
核电压（LV版本）	1.2V

器件	GW1NR- 1	GW1NR- 2	GW1NR- 4	GW1NR- 9
逻辑单元(LUT)	1,152	2,304	4,608	8,640
寄存器(FF)	864	2,304 (FF +Latch, 其中FF：2016)	3,456	6,480
分布式静态随机存储器 S-SRAM(bits)	0	0	0	17,280
块状静态随机存储器 B-SRAM(bits)	72K	72K	180K	468K
块状静态随机存储器 B-SRAM(个)	4	4	10	26
用户闪存- bits	96K	96K	256K	608K
SDR SDRAM (bits)	-	-	64M	64M
PSRAM(bits)	-	64M(MG49P) 32M(MG49PG)	32M(QN88P) 64M(MG81P)	64M (QN88P/LQ144P/MG100PT/MG100PS) 128M(MG100P/MG100PF/mg100pa)
NOR FLASH (bits)	4M	4M (MG49G/MG49PG)	-	-
乘法器(18x18 Multiplier)	0	0	16	20
锁相环(PLLs)	1	1	2	2
I/O Bank 总数	4	7	4	4
最大I/O数	120	126	218	276
核电压（LV 版本）	1.2V	1.2V	1.2V	1.2V
核电压（UV 版本）	-	1.8V/2.5/3.3V	2.5/3.3V	2.5/3.3V

封装	器件	Memory类型	容量	位宽
QN88	GW1NR-4	SDR SDRAM	64M	16 bits
QN88	GW1NR-9	SDR SDRAM	64M	16 bits
QN88P	GW1NR-4	PSRAM	32M	8 bits
QN88P	GW1NR-9	PSRAM	64M	16 bits
MG81P	GW1NR-4	PSRAM	64M	16 bits
MG100P	GW1NR-9	PSRAM	128M	32 bits
MG100PF	GW1NR-9	PSRAM	128M	32 bits
MG100PA	GW1NR-9	PSRAM	128M	32 bits
MG100PT	GW1NR-9	PSRAM	64M	16 bits
MG100PS	GW1NR-9	PSRAM	64M	16 bits
LQ144P	GW1NR-9	PSRAM	64M	16 bits
FN32G EQ144G QN32X QN48X LQ100G	GW1NR-1	NOR FLASH	4M	1 bit
MG49P	GW1NR-2	PSRAM	64M	16 bits
MG49G	GW1NR-2	NOR FLASH	4M	1 bit
MG49PG	GW1NR-2	PSRAM	32M	8 bits
MG49PG	GW1NR-2	NOR FLASH	4M	1 bit

器件	GW1NS- 4	GW1NS- 4C
逻辑单元(LUT4)	4,608	4,608
寄存器(FF)	3,456	3,456
块状静态随机存储器 B-SRAM(bits)	180K	180K
块状静态随机存储器 B-SRAM(个)	10	10
乘法器(18 x 18 Multiplier)	16	16
用户闪存- bits	256K	256K
锁相环(PLLs)	2	2
OSC	1，精度 ±5%	1，精度 ±5%
硬核处理器	-	Cortex- M3
I/O Bank 总数	4	4
最多用户 I/O	106	106
核电压	1.2V	1.2V

器件	GW1NSR- 4	GW1NSR- 4C
逻辑单元(LUT4)	4,608	4,608
寄存器(FF)	3,456	3,456
块状静态随机存储器 B-SRAM(bits)	180K	180K
块状静态随机存储器 B-SRAM(个)	10	10
乘法器(18 x 18 Multiplier)	16	16
用户闪存- bits	256K	256K
PSRAM(bits)	64M	64M
HyperRAM(bits)	-	64M
NOR FLASH (bits)	-	32M
锁相环(PLLs)	2	2
OSC	1，精度 ±5%	1，精度 ±5%
硬核处理器	-	Cortex- M3
I/O Bank 总数	4	4
最多用户 I/O	106	106
核电压	1.2V	1.2V

器件	封装	Memory 类型	容量	位宽
GW1NSR-4	MG64P	PSRAM	64Mb	16 bits
GW1NSR- 4C	MG64P	PSRAM	64Mb	16 bits
	QN48P	HyperRAM	64MB	8 bits
	QN48G	NOR FLASH	32Mb	1 bit

器件	GW1NSE- 4C
逻辑单元(LUT4)	4,608
寄存器(FF)	3,456
块状静态随机存储器 B-SRAM(bits)	180K
块状静态随机存储器数目 B-SRAM(个)	10
分布式静态随机存储器 S-SRAM(bits)	0
用户闪存(bits)	256
18X18乘法器	16
锁相环(PLLs)	2
OSC	1,+/-5% accuracy
硬核处理器	Cortex- M3
I/O Banks	3
核电压	1.2V
最多用户 I/O	106

器件	GW1NSER- 4C
逻辑单元(LUT)	4,608
寄存器(FF)	3,456
块状静态随机存储器 B-SRAM(bits)	180K
块状静态随机存储器 B-SRAM(个)	10
用户闪存- bits	256K
HyperRAM(bits)	64M
NOR FLASH (bits)	32M
乘法器(18x18 Multiplier)	16
锁相环(PLLs)	2
I/O Bank 总数	4
最多用户 I/O	106
OSC	1，精度 ±5%
硬核处理器	Cortex- M3
核电压	1.2V

器件	GW1NRF-4B
逻辑单元(LUT4)	4606
寄存器(FF)	3456
块状静态随机存储器 B-SRAM(bits)	180K
块状静态随机存储器 B-SRAM（个）	10
用户闪存-bits	256K
18X18乘法器	16
PLLs	2
I/O Bank总数	4
最大I/O数	25
硬核处理器	ARC EM4
内存模块	136KB ROM 48KB IRAM 28KB DRAM 128KB OTP
射频模块	蓝牙 5.0 低功耗
安全加密模块	AES 硬核加密 TRNG 密钥生成器
低功耗模块	电源管理模块 DCDC 转换器
核电压（LV）	1.2V
核电压（UV）	1.8V/2.5V/3.3V